MT40A512M16JY-083E vs MT40A512M16LY-062E AAT:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16JY-083E 제조: Micron Technology 및 MT40A512M16LY-062E AAT:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16JY-083E | MT40A512M16LY-062E AAT:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.85 | $9.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | 1.6 GHz |
| 데이터 속도 | 2400 MT/s (speed grade -083E) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| 패키지 | 96-FBGA (8 x 14 mm) | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| 할로겐 프리 | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit (1 GB) |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Access Time | — | 19 ns |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | 062E |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package max height] |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Ordering Code Suffix | — | AAT:E (temperature/package option per Micron code) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Moisture Packaging | — | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] |
| Data Rate Class | — | DDR4-3200 (062E speed bin) |